Скачать или смотреть 22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser

22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser

Скачать 22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser бесплатно в качестве 4к (2к / 1080p)

У нас вы можете скачать бесплатно 22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser или посмотреть видео с ютуба в максимальном доступном качестве.

Для скачивания выберите вариант из формы ниже:

Информация по загрузке:

Cкачать музыку 22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser бесплатно в формате MP3:

Если иконки загрузки не отобразились, ПОЖАЛУЙСТА, НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если у вас возникли трудности с загрузкой, пожалуйста, свяжитесь с нами по контактам, указанным в нижней части страницы.
Спасибо за использование сервиса video2dn.com

Описание к видео 22LD13 Numerical Analysis of Electrically Pumped SiGeSn/GeSn Quantum Well Transistor Laser

The threshold current density of electrically pumped Sn incorporated group IV alloy based transistor laser (TL) is analyzed by proposing and designing a theoretical model for the same. Active region for the lasing action is formed by strain compensated GeSn single quantum well (QW) in the base of the transistor. The threshold current density for lasing action is determined with the help of obtained modal and other losses, and calculated material gain. The obtained threshold current density in the range of 2-3 kA/cm2 indicates that design of purely group-IV material based TL is viable and realistic.

Комментарии

Информация по комментариям в разработке