Скачать или смотреть Революционная технология изготовления КМОП-чипов при температуре 400°C: объяснение прорыва CEA-Le...

Узнайте, как революционный 400-градусный процесс изготовления КМОП-микросхем в CEA-Leti меняет представление о 3D-стекировании микросхем! Это достижение позволяет размещать микросхемы на подложке из кремния на изоляторе (SOI) поверх готовых схем без повреждения нижних слоев, открывая путь к созданию более плотных и эффективных многоуровневых микросхем. Узнайте о методах наносекундного лазерного отжига, пилотной линии FAMES ЕС и о том, как это нововведение соответствует цели Закона ЕС о микросхемах по обеспечению независимости полупроводниковой отрасли. Идеально подходит для энтузиастов технологий, инженеров и всех, кто интересуется будущим полупроводниковых технологий.

Основные темы:
Технологический процесс изготовления КМОП-микросхем CEA-Leti при температуре 400°C
3D-стекирование микросхем и связанные с ним проблемы
Методы наносекундного лазерного отжига
Пилотная линия FAMES и платформы FD-SOI Европейского союза
Применение в логике, радиочастотах и ​​интеграции датчиков
Влияние на независимость полупроводниковой отрасли в соответствии с Законом ЕС о микросхемах
Будьте в курсе последних технологических инноваций — подпишитесь на обновления о передовых достижениях в полупроводниковой отрасли!