Скачать или смотреть 삼성전자 3나노 GAA 대반격! 천하의 젠슨 황도 당황시킨 TSMC와의 승부수

TSMC의 3나노 FinFET 공정은 안정화 단계에 들어섰지만,
최근 업계 보고서들은 병목의 초기 신호를 지적하고 있습니다.
발열 증가, 전력 효율 한계, 수율 관련 우려까지 등장하고 있죠.

반면 삼성전자의 3나노 GAA 공정은 속도를 높이고 있습니다.
열 방출, 전력 효율, 초기 수율 안정성을 개선하며
삼성은 격차를 줄이고, 향후 AI 특화 로직 패키징과 칩 경쟁에서
우위를 넓혀가려는 흐름을 보이고 있습니다.

이번 영상에서는 다음 내용을 다룹니다:

3나노 FinFET의 근본적인 한계

GAA가 열·전력을 어떻게 개선하는지

왜 패키징 병목이 HBM·AI 칩 문제로 이어지는지

3나노에서 삼성 vs TSMC의 경쟁 구도 변화

이것은 단순히 공정 비교가 아니라,
글로벌 반도체 시장 구조가 이동하는 흐름이기도 합니다.

🎵 BGM Information
Music: "Future Guardian" by Iros Young
Licensed via Uppbeat (https://uppbeat.io/t/iros-young/futur...
)
License code: OSHCS7U6DBL275HZ
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