半導體技術蝕刻篇Semiconductor Etch Process Technology

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所謂蝕刻(etching)，是製作電子電路時，
為了形成電子線路，使用曝光方式(patterning by lithography)，
也就是積體電路(integrated circuit, IC)製造時不需要的部份去除掉，
通常是在光阻的保護下將所需要的線路部份不被蝕刻掉。
積體電路蝕刻(etching)步驟有三:
(1)首先將薄膜沉積在底層上，然後曝光。
(2)將光阻(PR)覆蓋以外的部份蝕刻掉，且儘量不蝕刻到底層。
(3)將光阻去除，所要的線路便完成。
蝕刻的薄膜(thin film)種類:
(1)多晶矽(polysilicon，Poly包括矽化鎢，WSi2)
(2)二氧化矽(silicon dioxide，Oxide或SiO2)
(3)氮化矽(silicon nitride，Si3N4)
(4)鋁合金(Al)
(5)金屬鎢(W)
(6)抗反射層(anti-reflective coating, ARC)等材料。

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