【研究開発者が解説】中国が米国の半導体装置輸出規制を乗り越え7mnの半導体を開発できた理由を解説

中国が7nm半導体を作った方法について、どうやって作ったのか解説しました。また、先端の半導体の技術も解説しています。EUVではなく、ArF液浸のマルチパターニングを2回やって作っているものと予想。今はFinFetですが、今後はGate All Aroundも作ってきそうです。

半導体とは何か？
   • 第1回 半導体とは何か？人類の生活を激変させた半導体のすごさを解説【科学技術】  

0:00 中国が7nmの半導体を製造し世界が驚いた
1:03 半導体はなぜ重要になっているのか？
3:00 半導体を微細化するとなぜすごいのか？
5:30 1945年のコンピューターENIACからの進化
7:30 アメリカによる半導体開発装置の中国への輸出禁止の措置
---半導体の作り方
8:50 微細化で最も重要な露光機の仕組み
13:00 EUVの装置の仕組み。ASMLしか作れない
16:20 2023年中国が7mnの半導体を開発したと報道
17:15 中国7nmの半導体の構造
20:30 マルチパターニングでEUV装置がなしで7nmを実現した
24:10 東京エレクトロンのマルチパターニングの画像
26:48 中国が7nmの半導体を開発できたことで脅威になるのか？
28:10 次に中国が開発しそうな技術Gate All Aroundとは？


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1980年生まれ。東京都出身。研究開発の仕事を2003年から続けるなか、自分でも稼げるようになりたい、会社を経営したいという思いから2014年に不動産投資を開始。これまでに5棟と戸建て2つを購入。2017年からブログで不動産投資の情報を発信し、2018年にYoutube開始。2019年にサラリーマンを退職。自分の法人で、不動産投資、ブログ、Youtubeで収益を得ている。

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