Intel絕地大反攻！計畫2024年超車台積電！？2奈米先進技術大解密！

【內容修正】關於如何製作電晶體下方的電源線，比較可能的方法還是在矽晶圓上方成長電晶體後，在上方成長訊號線，接下來翻轉晶圓背面研磨到電晶體處在晶圓背面成長電源線，這樣必須研磨到只有電晶體的厚度，難度極高，因此那是台積電2奈米製程才會發展的技術，英特爾應該也只在研發階段。

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🏮【科技大哉問EP41】英特爾絕地大反攻，2024年追上台積電靠什麼秘密武器？🏮

Intel在這周舉行了記者會，公布了全新製程節點命名規則，並且拿下了高通的大單！他們在打什麼算盤，真的有辦法在2024年追上台積電！？曲博分析給你聽！

00:00 開場大綱 | Intro, Summary
01:45 英特爾製程節點正名：新製程節點與競爭對手相當 | Intel Foundry Services
05:56 極紫外光(EUV)與數值孔徑(NA) | Extreme Ultra Violet Lithography and Numerical Aperture
08:36 二奈米以下製程節點使用埃米(Angstrom)命名 | Under 2nm Angstrom
12:50 帶式場效電晶體 | Ribbon Field Effect Transistors
20:34 電源金屬柱 | PowerVIA
29:32 先進封裝發展路線：EMIB與Foveros演進| Advanced Packaging : EMIB and Foveros
37:47 結論 | Conclusion

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