Скачать или смотреть Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device

Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device

spin transportdresselhaus and rashba spin-orbit couplingsstrainMonte Carlo simulationInGaAs FET

Скачать Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device бесплатно в качестве 4к (2к / 1080p)

У нас вы можете скачать бесплатно Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device или посмотреть видео с ютуба в максимальном доступном качестве.

Для скачивания выберите вариант из формы ниже:

Информация по загрузке:

Cкачать музыку Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device бесплатно в формате MP3:

Если иконки загрузки не отобразились, ПОЖАЛУЙСТА, НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если у вас возникли трудности с загрузкой, пожалуйста, свяжитесь с нами по контактам, указанным в нижней части страницы.
Спасибо за использование сервиса video2dn.com

Описание к видео Monte Carlo Simulation of Spin Transport in InGaAs MOSFET device

3D model of In0.3Ga0.7 As MOSFET device showing spin polarisation of electrons, injected with s_x polarisation, along n-channel with 4% strain in the [001] direction (Red) and unstrained (Purple).

Created with a finite-element quantum-corrected ensemble Monte Carlo simulator with electron spins in a realistic nanoscale II-V field effect transistor model to investigate spin effects within a realistic semiconductor device. The Monte Carlo simulator has in particular been augment to consider Dresselhaus and Rashba effects.

Ref.: B. Thorpe, K Kalna, FC Langbein, SG Schirmer. Monte Carlo Simulations of Spin Transport in Nanoscale InGaAs Field Effect Transistors. 2016.

Music: Ghostpocalypse - 8 Epilog Kevin MacLeod (incompetech.com) Licensed under Creative Commons: By Attribution 3.0 License, http://creativecommons.org/licenses/b...

Комментарии

Информация по комментариям в разработке