「次世代のデバイスや磁気センサへの応用へ期待!:強磁性半導体に新たな電子伝導現象を発見」ープレスリリース インタビューシリーズ

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最先端の研究を覗いてみませんか? 工学系研究科からのプレスリリースでお伝えしている研究成果について、研究者みずからが解説します。

<プレスリリース>
非磁性/強磁性半導体ヘテロ接合において 磁場の向きを変えると符号が変わる巨大な磁気抵抗効果を発見 ―物質中の「対称性の破れ」による特異な電子伝導現象、次世代量子デバイスの可能性―(2022.11.10)
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2...

非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層のヘテロ接合(異なる物質を積層した構造)を作製し、新しい電子伝導現象を発見しました。この成果は、高感度磁気センサなど強磁性半導体を用いた次世代のスピントロニクスや量子デバイスの実現に新たな道筋を示したといえます。

<出演>
レ デゥック アイン(Le Duc Anh) 准教授
(東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻)

★アイン研究室ウェブサイト
https://www.anh-lab.com/ja

撮影:2023年1月
英語字幕作成:レ デゥック アイン(Le Duc Anh) 准教授

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東京大学工学部
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/foe
東京大学大学院工学系研究科
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/soe
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