Transistor bipolaire : Effet Early et Résistance de sortie du transistor bipolaire

L'étude de l'effet transistor du transistor bipolaire utilisé dans sa zone linéaire montre l'apparition d'un effet dit effet Early lorsque le potentiel du collecteur varie et qui conduit à une élévation du courant Ic alors même que le courant de base IB est fixé.
Cette vidéo s'attache à montrer l'origine physique de ce phénomène. Sa mise en équation et son influence sur un modèle équivalent grand signal du transistor bipolaire sont ensuite abordées en faisant apparaître le résistance de sortie du transistor (les documentations parlent de la conductance de sortie = 1/résistance de sortie).
Remarque importante : la vidéo n'aborde pas le moyen d'obtenir VA dans une documentation. En fait, ce paramètre n'y figure généralement pas. On préfère donner directement la résistance de sortie ou plus précisément la conductance de sortie du transistor notée hoe et exprimée en µmhos (Siemens chez nous mais les américains ne font rien comme tout le monde). VA peut alors être calculée avec la relation VA = IC / hoe