Скачать или смотреть 強誘電体ランダムアクセスメモリ（FeRAM）

書換え回数1兆回、書換速度150nsの不揮発メモリ

ロームの長年にわたる製造技術とラピスセミコンダクタのメモリ設計技術とのコラボレーションにより誕生!

FeRAMは、強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術 により開発された32Kbit ～ 2Mbit構成の強誘電体ランダムアク セスメモリです。

電池によるバックアップ不要、高速ランダムリードライト、 高書き換え耐性(約1兆回耐性保証)、さらに低消費電力で、 さまざまなアプリケーションへの応用が可能です。

ラピスセミコンダクタのFeRAMは、ロームグループ内での 一貫生産により高品質かつ安定した供給をお約束します。

URL：
http://www.lapis-semi.com/jp/semicon/...


ロームは創業から50年を超える歳月を京都で半導体メーカーとして歩み続け、
社会の様々な人の想いを先進的な技術で実現するための製品を作り続けています。

半導体メーカー「ROHM」の社名は、
創業当時の生産品目である抵抗器（Resistor）の頭文字「R」に
抵抗値の単位Ω「ohm」を組み合わせたものです。
「R」信頼性（Reliability）にも通じており、品質を第一とするロームのポリシーを表しています。



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