十分钟速通碳化硅:中国已攻克沟槽技术,行业格局有望改写?

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同志们半导体领域重大新闻,中国国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时四年,攻克了沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造技术。据说,这是中国在这一领域的首次突破。

Ten-Minute Speedrun of Silicon Carbide: China Has Overcome Trench Technology, Industry Landscape Likely to be Redefined.

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